Imec en ASML hebben gisteren in Veldhoven het nieuwe High NA EUV Lithography Lab in Veldhoven geopend. Het Lab geeft Intel en andere toonaangevende chipmakers toegang tot het prototype van de High NA EUV scanner, officieel bekend als TWINSCAN EXE:5000.
Waarom moet je dit weten?
Klein, kleiner, kleinst. Wie dacht dat ASML niet meer in staat zou zijn nóg kleinere patronen op chips te printen, krijgt ongelijk. Met de nieuwe High NA EUV scanner rekt het Veldhovense bedrijf de Wet van Moore nog wat verder op.
De opening van het gezamenlijke ASML-imec High NA EUV Lab is een mijlpaal in de voorbereiding van High NA EUV voor massaproductie – naar verwachting in de periode 2025-2026. Door toonaangevende fabrikanten van logica- en geheugenchips toegang te geven tot de scanner en bijbehorende systemen, ondersteunen imec en ASML hen bij het afbouwen van de risico’s van de technologie. Ook kan het ze op weg helpen bij het ontwerpen van hun eigen gebruikscases voordat ze zelf de beschikking krijgen over deze apparaten.
Van start in 2018
De voorbereidingen voor de 0,55 NA EUV-scanner en -infrastructuur startten al in 2018. In de vijf jaren die volgden heeft ASML samen met ZEISS de High NA EUV-scannerspecifieke oplossingen te ontwikkeld op het gebied van de lichtbron, optiek, lensanamorfie, stitching, gereduceerde focusdiepte, fouten bij randplaatsing en overlaynauwkeurigheid. Ondertussen bereidde imec het patterning ecosysteem voor, inclusief de ontwikkeling van geavanceerde resistente en onderlaagmaterialen, fotomaskers, metrologie- en inspectietechnieken, (anamorfe) beeldvormingsstrategieën, optische nabijheidscorrectie (OPC) en geïntegreerde patterning- en etstechnieken. Al dat voorbereidende werk resulteerde onlangs in de eerste belichtingen met nog kleinere belijningen. Voor het eerst lukte het om 10 nm dichte lijnen (20 nm pitch) te printen op metaaloxideharsen (MOR’s) met behulp van de 0,55 NA EUV prototype scanner.
Het tijdperk van de ångström
Imec’s president en CEO Luc Van den Hove noemt High NA EUV “de volgende mijlpaal” in optische lithografie. “Het belooft patronen van metalen lijnen met 20 nm pitch in één enkele belichting en maakt volgende generaties DRAM-chips mogelijk. Dit zal de opbrengst verbeteren en de cyclustijd en zelfs de CO2-uitstoot verminderen in vergelijking met bestaande multi-patterning 0,33 NA EUV-systemen.” Volgens hem wordt deze machine een belangrijke factor om de Wet van Moore door te drukken “tot ver in het tijdperk van de ångström”. Voor imec en zijn partners zal het High NA EUV Lithography Lab fungeren als een virtueel verlengstuk van de 300 mm cleanroom in Leuven, waardoor het patterning ecosysteem verder verbeterd kan worden.
Volgens ASML’s President en CEO Christophe Fouquet kan het Lab de leercurve van de technologie aanzienlijk versnellen en de introductie in de productie soepeler laten verlopen. “Het ASML-imec High NA EUV Lithography Lab biedt onze EUV-klanten, partners en leveranciers de mogelijkheid om toegang te krijgen tot het High NA EUV-systeem voor procesontwikkeling terwijl ze wachten tot hun eigen systeem beschikbaar is in hun fabrieken. Dit soort zeer vroegtijdige betrokkenheid bij het ecosysteem is uniek.”
Als je dit artikel leuk vindt, lees dan ook:
